2022-11-17 08:03发布
最近仿真一个两级放大器,用的是两个内部做好匹配的芯片。两级放大器,总共有三段射频走线,把射频走线剪切到ADS做EM仿真。用了两种方式,一种是把三段射频在三个layout页面里分别仿真,仿真完成后,将仿真结果配合两个放大器芯片的s参数做co-simu仿真;另一种是三段走线一块仿真;按说这两种仿真得到的结果应该差别不大,但是差别很大,其中第二种仿真后有明显自激。有没有大佬解释一下
分段仿真,你每段的结构小,腔体大概率不会谐振;
三个放一个腔体,腔体大,各段存在耦合的可能性(没见你三段的layout),腔体也很可能谐振。
ADS的EM有个Box是指定外面金属腔大小,可以试着更改它或者用辐射边界试试。
感谢回答,我的仿真选择里面的mom算法,并没有进行box设置这一步骤,应该跟box设置没有关系吧。另外就是我把整体仿真的参考地设置为cover后,那个自激就消失了,采用有限参考地,又会出现自激。我的仿真频率30G左右
感觉整体仿真要准一些,可以用HFSS验证一下,看一下ADS的端口校准方式
需要具体的layout,功放自激肯定是产生了回路。三段微带线layout需要提供才能分析。
整体仿真时隔离度35dB以上,我将参考面地修改成无限大时,就没有不稳定现象了。但是实际中参考地不是有限的吗
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分段仿真,你每段的结构小,腔体大概率不会谐振;
三个放一个腔体,腔体大,各段存在耦合的可能性(没见你三段的layout),腔体也很可能谐振。
ADS的EM有个Box是指定外面金属腔大小,可以试着更改它或者用辐射边界试试。
作者追问:2022-11-18 07:57
感谢回答,我的仿真选择里面的mom算法,并没有进行box设置这一步骤,应该跟box设置没有关系吧。另外就是我把整体仿真的参考地设置为cover后,那个自激就消失了,采用有限参考地,又会出现自激。我的仿真频率30G左右
感觉整体仿真要准一些,可以用HFSS验证一下,看一下ADS的端口校准方式
需要具体的layout,功放自激肯定是产生了回路。三段微带线layout需要提供才能分析。
作者追问:2022-11-18 09:53
整体仿真时隔离度35dB以上,我将参考面地修改成无限大时,就没有不稳定现象了。但是实际中参考地不是有限的吗
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