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最近仿真一个两级放大器，用的是两个内部做好匹配的芯片。两级放大器，总共有三段射频走线，把射频走线剪切到ADS做EM仿真。用了两种方式，一种是把三段射频在三个layout页面里分别仿真，仿真完成后，将仿真结果配合两个放大器芯片的s参数做co-simu仿真;另一种是三段走线一块仿真;按说这两种仿真得到的结果应该差别不大，但是差别很大，其中第二种仿真后有明显自激。有没有大佬解释一下
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最近仿真一个两级放大器，用的是两个内部做好匹配的芯片。两级放大器，总共有三段射频走线，把射频走线剪切到ADS做EM仿真。用了两种方式，一种是把三段射频在三个layout页面里分别仿真，仿真完成后，将仿真结果配合两个放大器芯片的s参数做co-simu仿真;另一种是三段走线一块仿真;按说这两种仿真得到的结果应该差别不大，但是差别很大，其中第二种仿真后有明显自激。有没有大佬解释一下
付费偷看金额在0.1-10元之间
分段仿真，你每段的结构小，腔体大概率不会谐振;
三个放一个腔体，腔体大，各段存在耦合的可能性（没见你三段的layout），腔体也很可能谐振。
ADS的EM有个Box是指定外面金属腔大小，可以试着更改它或者用辐射边界试试。
作者追问:2022-11-18 07:57
感谢回答，我的仿真选择里面的mom算法，并没有进行box设置这一步骤，应该跟box设置没有关系吧。另外就是我把整体仿真的参考地设置为cover后，那个自激就消失了，采用有限参考地，又会出现自激。我的仿真频率30G左右
感觉整体仿真要准一些，可以用HFSS验证一下，看一下ADS的端口校准方式
需要具体的layout,功放自激肯定是产生了回路。三段微带线layout需要提供才能分析。
作者追问:2022-11-18 09:53
整体仿真时隔离度35dB以上，我将参考面地修改成无限大时，就没有不稳定现象了。但是实际中参考地不是有限的吗
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