测试对象是一块WIFI芯片EVB板的RF通路,预留了pi型匹配位置测试频段2.4G,使用村田的电容(1pF~3.3pF)和电感器件(1nH~3.3nH)进行阻抗匹配实际测试,串1nH电感,史密斯圆图测试点往右下区域移动,串1pF电容,测试点往左上区域移动测试的结果与理论正好反过来了,查看了器件的谐振频率为大于8GHz,2.4GHz频段应该不会导致器件自谐振这到底是为什么?
测试对象是一块WIFI芯片EVB板的RF通路,预留了pi型匹配位置测试频段2.4G,使用村田的电容(1pF~3.3pF)和电感器件(1nH~3.3nH)进行阻抗匹配实际测试,串1nH电感,史密斯圆图测试点往右下区域移动,串1pF电容,测试点往左上区域移动测试的结果与理论正好反过来了,查看了器件的谐振频率为大于8GHz,2.4GHz频段应该不会导致器件自谐振这到底是为什么?
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测试对象是一块WIFI芯片EVB板的RF通路,预留了pi型匹配位置测试频段2.4G,使用村田的电容(1pF~3.3pF)和电感器件(1nH~3.3nH)进行阻抗匹配实际测试,串1nH电感,史密斯圆图测试点往右下区域移动,串1pF电容,测试点往左上区域移动测试的结果与理论正好反过来了,查看了器件的谐振频率为大于8GHz,2.4GHz频段应该不会导致器件自谐振这到底是为什么?
最近仿真一个两级放大器,用的是两个内部做好匹配的芯片。两级放大器,总共有三段射频走线,把射频走线剪切到ADS做EM仿真。用了两种方式,一种是把三段射频在三个layout页面里分别仿真,仿真完成后,将仿真结果配合两个放大器芯片的s参数做co-simu仿真;另一种是三段走线一块仿真;按说这两种仿真得到的结果应该差别不大,但是差别很大,其中第二种仿真后有明显自激。有没有大佬解释一下
请问无反射匹配和共轭匹配的关系是什么,为什么在ADS中共轭匹配也可以用S11参数来衡量?我在ADS中进行共轭匹配时,为什么要以S11作为判断是否匹配的依据?请问ADS中S11参数到底与传输线特性有关还是与端口的输入阻抗有关?
请问国内哪里有提供材料介电性能测试服务的厂家?