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最近仿真一个两级放大器，用的是两个内部做好匹配的芯片。两级放大器，总共有三段射频走线，把射频走线剪切到ADS做EM仿真。用了两种方式，一种是把三段射频在三个layout页面里分别仿真，仿真完成后，将仿真结果配合两个放大器芯片的s参数做co-simu仿真;另一种是三段走线一块仿真;按说这两种仿真得到的结果应该差别不大，但是差别很大，其中第二种仿真后有明显自激。有没有大佬解释一下
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最近仿真一个两级放大器，用的是两个内部做好匹配的芯片。两级放大器，总共有三段射频走线，把射频走线剪切到ADS做EM仿真。用了两种方式，一种是把三段射频在三个layout页面里分别仿真，仿真完成后，将仿真结果配合两个放大器芯片的s参数做co-simu仿真;另一种是三段走线一块仿真;按说这两种仿真得到的结果应该差别不大，但是差别很大，其中第二种仿真后有明显自激。有没有大佬解释一下
作者追问:2022-11-18 09:16
整体仿真时隔离度35dB以上，我将参考面地修改成无限大时，就没有不稳定现象了。但是实际中参考地不是有限的吗
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