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最近仿真一个两级放大器，用的是两个内部做好匹配的芯片。两级放大器，总共有三段射频走线，把射频走线剪切到ADS做EM仿真。用了两种方式，一种是把三段射频在三个layout页面里分别仿真，仿真完成后，将仿真结果配合两个放大器芯片的s参数做co-simu仿真;另一种是三段走线一块仿真;按说这两种仿真得到的结果应该差别不大，但是差别很大，其中第二种仿真后有明显自激。有没有大佬解释一下
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最近仿真一个两级放大器，用的是两个内部做好匹配的芯片。两级放大器，总共有三段射频走线，把射频走线剪切到ADS做EM仿真。用了两种方式，一种是把三段射频在三个layout页面里分别仿真，仿真完成后，将仿真结果配合两个放大器芯片的s参数做co-simu仿真;另一种是三段走线一块仿真;按说这两种仿真得到的结果应该差别不大，但是差别很大，其中第二种仿真后有明显自激。有没有大佬解释一下
分段仿真，你每段的结构小，腔体大概率不会谐振;
三个放一个腔体，腔体大，各段存在耦合的可能性（没见你三段的layout），腔体也很可能谐振。
ADS的EM有个Box是指定外面金属腔大小，可以试着更改它或者用辐射边界试试。
作者追问:2022-11-17 17:57
感谢回答，我的仿真选择里面的mom算法，并没有进行box设置这一步骤，应该跟box设置没有关系吧。另外就是我把整体仿真的参考地设置为cover后，那个自激就消失了，采用有限参考地，又会出现自激。我的仿真频率30G左右
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