您好，我这边是希望咨询下RFID标签芯片的封装。

背景是这样的：

我们前期有封装一颗RFID标签芯片，是Alien的Higg3. 封装的DFN2L(1.6*1*0.5mm).封装的灵敏度很好，没问题。

但是同样的封装 换了NXP的 Ucode8.灵敏度就有一定程度的衰减。

按我的理解这两颗芯片的阻抗是不一样的，封装之后会使得阻抗变化，这个阻抗是否会影响芯片的灵敏度，还望解释一下。

如果方便是否可以留下联系方式，谢谢。

    题主您好，

    本人微信rfic_asking

    针对您提出的问题以及问题背景，我个人认为封装出现的问题可能性比较小。首先您采用的是成熟的DNF封装工艺，其次您的RFID标签芯片工作频率相对较低（860MHz~920MHz）

    首先我们要明白RFID标签的设计除了您提到的芯片，还有三个部分的设计至关重要：（1）标签天线（2）耦合部分（3）电感线圈。

其次，我们找到您提及的两款芯片的端口阻抗：

    然后我们根据常见的RFID的系统等效电路去分析您所提及的灵敏度下降的问题，我这里给出常见的RFID设计系统框图：

    由上面的框图，我们可以得到，当封装一样时，芯片对电感线圈以及后端的RFID标签天线的阻抗不一致，因此必然导致信号的传输特性有所改变，一般来说是恶化（如您提及的灵敏度下降），当接收到的信号相对原来的电路传输得更少到芯片，这时就算您采用了灵敏度更好的RFID芯片也于事无补，因为到达芯片的信号在天线和芯片端口处多次反射未到达芯片内部，因此导致您的灵敏度下降。

    建议：根据您所用的Ucode8芯片的阻抗，去设计新的匹配电路。